トレンチゲート型半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-295036
公開番号（公開出願番号）：特開2011-134985
出願日： 2009年12月25日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：

【課題】、チャネルの高密度化と寄生BJTのベース抵抗の低抵抗化を両立するトレンチゲート型半導体装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】トレンチゲート構造が、ゲート電極5上であって前記第1トレンチ4の上部に充填される絶縁体6を備え、ソース領域7の下端面が前記ゲート電極5の上面より下方に位置するとともに、複数の第1のトレンチ4に挟まれる半導体基板部分の表面が、該表面で最大開口幅を有する傾斜を有し、底部が前記ソース領域7の下端面より下方に位置する第2トレンチ8を備え、該第2トレンチ8の内表面には前記第1トレンチ4に接する前記ソース領域7とp型ボディ・コンタクト領域9とを備えるトレンチゲート型半導体装置とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第2導電型ドリフト領域と第1導電型ボディ領域とをこの順に備える半導体基板が、該半導体基板の前記第1導電型ボディ領域の表面に選択的に第2導電型ソース領域と、前記第1導電型ボディ領域の表面から、前記第2導電型のソース領域に接するとともに、底面が前記ドリフト領域に達する複数の第1トレンチと、前記第1トレンチ下部の内壁にゲート絶縁膜を介して充填されるポリシリコンゲート電極と、該ポリシリコンゲート電極上であって前記第1トレンチの上部に充填される絶縁体とを備え、前記第2導電型ソース領域の下端面が前記ポリシリコンゲート電極の上面より下方に位置するとともに、前記複数の第1トレンチに挟まれる前記半導体基板部分の表面が、該表面で最大開口幅を有する傾斜を有し、底部が前記ソース領域の下端面より下方に位置する第2トレンチを備え、該第2トレンチの内表面には前記第1トレンチに接する前記第2導電型ソース領域と第1導電型ボディ・コンタクト領域とを備え,前記第2導電型ソース領域は前記第1表面側が高濃度であることを特徴とするトレンチゲート型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/78 652D , H01L29/78 653A , H01L29/78 652M , H01L29/78 655A , H01L29/78 658C , H01L29/78 658A

引用特許：

審査官引用 (4件)

埋め込みゲートを有するパワーMOSデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-221780 出願人：フェアチャイルドセミコンダクターコーポレーション
半導体装置とその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-502818 出願人：トーテムセミコンダクターリミテッド
縦型ゲート半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-346460 出願人：松下電器産業株式会社

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