特許
J-GLOBAL ID:201103082367394587

レジストパターンの製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  清水 義憲
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-241459
公開番号(公開出願番号):特開2001-066794
特許番号:特許第3725740号
出願日: 1999年08月27日
公開日(公表日): 2001年03月16日
請求項(抜粋):
【請求項1】 (A)(A1)1分子中に少なくとも2個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂と不飽和基含有カルボン酸との付加反応で得られる二級水酸基を有する感光性樹脂又は(A2)飽和若しくは不飽和基含有多塩基酸無水物と上記(A1)の感光性樹脂の二級水酸基とを反応させて得られる感光性樹脂と、(B)光開始剤とを含有してなる感光性樹脂組成物を、(I)基材上に塗布後、乾燥する工程、(II)次いでパターンを形成したフォトマスクを通して選択的に活性光線を照射する工程並びに(III)未露光部を(a)塩基性化合物、(b)H.L.Bが0〜4の範囲の非イオン界面活性剤、(c)H.L.Bが6〜20の範囲の非イオン界面活性剤及び(d)水を含有してなるアルカリ現像液(但し、陰イオン高分子界面活性剤を含有してなるものを除く)で除去する工程を含むことを特徴とするレジストパターンの製造法。
IPC (5件):
G03F 7/32 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/027 ,  G03F 7/038 ,  H05K 3/00
FI (5件):
G03F 7/32 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/027 515 ,  G03F 7/038 501 ,  H05K 3/00 F
引用特許:
審査官引用 (5件)
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