特許

J-GLOBAL ID：201103082448830179

半導体装置及びその製造方法

発明者： 山田 隆順 ,  森脇 將
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-318081
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236094
特許番号：特許第3113657号
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板上に形成されている半導体層の上にゲート絶縁膜となる絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気中において、タングステンからなるターゲットに対してスパッタリングを行なうことにより、前記絶縁膜の表面領域を窒化すると共に、前記絶縁膜の上に、タングステンの結晶と窒化タングステンの結晶とが混在してなりゲート電極の少なくとも一部を構成する結晶混在膜を堆積する結晶混在膜堆積工程とを備え、前記結晶混在膜堆積工程は、前記結晶混在膜に含まれる窒素の重量比が10%以下になるようなアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気中において、前記結晶混在膜を堆積する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203

FI (5件)：

H01L 29/78 301 G ,  C23C 14/06 L ,  C23C 14/06 N ,  C23C 14/34 M ,  H01L 21/203 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-302034
  
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-065847   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-037300   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平1-094664