特許
J-GLOBAL ID：201103082466645770
半導体混晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-342037
公開番号（公開出願番号）：特開2003-146792
特許番号：特許第4010439号
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】成長温度で成長組成が一義的に決まる二元系あるいは準二元系の混晶系を対象とし、
(A)ルツボ内に、前記混晶系の第1の混晶組成の最表面を有する第1の種結晶と、前記混晶系の第2の混晶組成を有するソース結晶と、融点において前記第1の混晶組成の結晶が析出する飽和溶液の固化物と、前記飽和溶液よりも融点が低く、融点において未飽和の未飽和溶液の固化物と、を収容する工程と、 (B)前記ルツボ内を昇温し、前記未飽和溶液の固化物の融点で、前記未飽和溶液の固化物を溶融して、前記ソース結晶と接触させる工程と、
(C)前記工程(B)に続いて、さらに、前記ルツボ内を昇温し、前記飽和溶液の固化物を溶融する工程と、
(D)前記ルツボ内に前記ソース結晶側で高く、前記第1の種結晶側で低い温度勾配を形成し、前記第1の種結晶上に半導体混晶を成長する工程と、
を含む半導体混晶の成長方法。
IPC (2件)：
C30B 11/02 ( 200 6.01)
, C30B 29/40 ( 200 6.01)
C30B 11/02
, C30B 29/40 501 C
