特許
J-GLOBAL ID：201103082542959606

拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法、および太陽電池

発明者：
室田 敦史

室田 敦史 について

, 
平井 隆昭

平井 隆昭 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (2件)： 森下 賢樹 ,  青木 武司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-113536
公開番号（公開出願番号）：特開2011-243706
出願日： 2010年05月17日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：
【課題】優れた塗膜形成性および吐出安定性を有し、スプレー塗布法に好適に採用可能な拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。【解決手段】拡散剤組成物は、半導体基板への不純物拡散剤層の形成に用いられる拡散剤組成物であって、不純物拡散成分(A)と、ケイ素化合物(B)と、沸点が100°C以下である溶剤(C1)、沸点が120〜180°Cである溶剤(C2)、および沸点が240〜300°Cである溶剤(C3)を含む溶剤(C)と、を含有する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体基板への不純物拡散剤層の形成に用いられる拡散剤組成物であって、 不純物拡散成分(A)と、 ケイ素化合物(B)と、 沸点が100°C以下である溶剤(C1)、沸点が120〜180°Cである溶剤(C2)、および沸点が240〜300°Cである溶剤(C3)を含む溶剤(C)と、 を含有することを特徴とする拡散剤組成物。
IPC (2件)：
H01L 21/225 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01L21/225 R ,  H01L31/04 A
Fターム (10件)：
5F151AA02 ,  5F151CB20 ,  5F151DA03 ,  5F151FA10 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151FA25 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM