特許
J-GLOBAL ID：201103082608632786
薄膜トランジスタアレイの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297007
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119030
特許番号：特許第4405004号
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に第1絶縁層を介してゲート電極と一体的に走査線を形成する工程と、
前記第1絶縁層及び前記走査線上に第2絶縁層を介して信号線を形成する工程と、
を有する薄膜トランジスタアレイの製造方法において、
前記ゲート電極と一体の前記走査線を形成する工程は、
前記第1絶縁膜上に金属膜を成膜し、
前記金属膜の少なくとも一部を2回以上パターニングすることによって形成され、
前記パターニング工程において使用する第1フォトマスクは、前記ゲート電極の電極形状及び前記走査線の配線形状に対応したパターンを有し、
前記第1フォトマスクに基づいてパターニングした後に使用する第2フォトマスクは、前記ゲート電極、前記走査線、及び、前記半導体層の形状に対応したパターンを有することを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, G09F 9/00 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
H01L 29/78 612 C
, H01L 29/78 612 D
, G02F 1/136
, G09F 9/00 342 Z
, G09F 9/30 348 Z
