半導体ウエハの処理方法と処理済の半導体ウエハ

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出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-041648
公開番号（公開出願番号）：特開2011-181553
出願日： 2010年02月26日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

【課題】不均質性が存在する半導体ウエハを処理して不均質性の影響を効率的に軽減できる処理技術を提供する。【解決手段】半導体ウエハの表面を複数区域に分割し、分割された区域ごとに、特性低下要因の平均存在密度を特定する(S12)。分割された区域ごとに、その区域内の平均存在密度に基づいて、予め用意されている複数種類のマスクパターンのなかから1種類のマスクパターンを選択する(S15)。複数種類のマスクパターンは、複数の開口部を備えており、開口部が均一に分布しているとともに、種類によって開口比率が相違するという制約に従っており、平均存在密度が高いほど開口比率が高い種類のマスクパターンを選択する。分割された区域ごとに選択したマスクパターンの開口部から、異種物質を注入する(S21)。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの表面を複数区域に分割し、分割された区域ごとに、特性低下要因の平均存在密度を特定し、分割された区域ごとに、その区域内の前記平均存在密度に基づいて、予め用意されている複数種類のマスクパターンのなかから1種類のマスクパターンを選択し、分割された区域ごとに、選択したマスクパターンの開口から、異種物質を注入する方法であり、前記複数種類のマスクパターンは、複数の開口を備えており、開口が均一に分布しているとともに、種類によって開口比率が相違するという制約に従っており、前記平均存在密度が高いほど開口比率が高い種類のマスクパターンを選択することを特徴とする半導体ウエハの処理方法。

IPC (2件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (1件)：

H01L29/48 F

Fターム (3件)：

4M104AA03 , 4M104FF32 , 4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (4件)

炭化珪素半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-367538 出願人：株式会社デンソー
特開平1-105531
炭化珪素単結晶ウェハの欠陥検出方法、及び炭化珪素半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-210008 出願人：財団法人電力中央研究所

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