特許

J-GLOBAL ID：200903013172783007

スーパージャンクション構造を有する半導体装置とその製造方法

発明者： 中川 未浩 ,  大西 豊和 ,  濱田 公守
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-075051
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251023
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】本発明の一つの目的は、深さ方向の広い範囲においてチャージバランスが確保されているスーパージャンクション構造を実現することである。本発明の他の一つの目的は、意図した深さでチャージバランスが確保されているスーパージャンクション構造を実現することである。【解決手段】n型コラム22とp型コラム24の間でチャージバランスが崩れている暫定スーパージャンクション構造を製造する工程と、暫定スーパージャンクション構造のチャージアンバランス量を特定する工程と、チャージアンバランス量を補償する濃度の不純物をn型コラム22および/またはp型コラム24に付加する工程を備えている。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

n型コラムとp型コラムが交互に繰り返し配置されているスーパージャンクション構造を有する半導体装置を製造する方法であって、 n型コラムとp型コラムの間でチャージバランスが崩れている暫定スーパージャンクション構造を製造する工程と、 暫定スーパージャンクション構造のチャージアンバランス量を特定する工程と、 チャージアンバランス量を補償する濃度の不純物をn型コラムおよび/またはp型コラムに付加する工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658E

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電力用半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-279463   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-058837   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-055369   出願人：株式会社東芝
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-314999   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-102505   出願人：株式会社デンソー