特許

J-GLOBAL ID：201103083496648168

半導体記憶装置

発明者： 三木 浩史 ,  中井 浩巳 ,  櫛田 惠子 ,  嶋本 泰洋 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  藤崎 芳久
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-322352
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066934
特許番号：特許第4500248号
出願日： 2005年11月07日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 能動素子と、 第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられている高強誘電体膜有するコンデンサと、 前記能動素子と前記コンデンサとの間に設けられている層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜と前記コンデンサとの間に設けられている水素拡散バリア層と、 前記水素拡散バリア層に接続され、前記水素拡散バリア層とで前記コンデンサを囲むように配置されている水素吸着阻止層を有し、 前記水素拡散バリア層は、アルミニウム又はセリウムの酸化物を主成分とする材料からなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 444 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-254378   出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-116221   出願人：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
• 特開平4-102367
  
• 特開平2-128424