特許
J-GLOBAL ID：201103084050685023
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-316129
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135824
特許番号：特許第4562835号
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体層を形成する工程と、ゲート電極を形成する工程と、前記半導体層と前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜を形成する工程とを有し、
前記ゲート絶縁膜は、少なくとも前記半導体層と接する第1の層となる酸化窒化シリコン膜と前記ゲート電極と接する第2の層となる酸化窒化シリコン膜とを有し、
前記第1の層は、SiH4、N2O、H2から形成し、
前記第2の層は、SiH4、N2Oから形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 617 U
, H01L 29/78 617 V
