半導体装置および半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-207653
公開番号（公開出願番号）：特開2011-192958
出願日： 2010年09月16日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：

【課題】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。【解決手段】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのチャネル長が1.5μm以上100μm以下、好ましくは3μm以上10μm以下の範囲において、室温以上180°C以下の動作温度範囲、または、-25°C以上150°C以下の動作温度範囲で、しきい値電圧の変動幅を3V以下、好ましくは1.5V以下とすることで、安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、しきい値の変動に起因する表示むらを低減することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極層を有し、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を有し、前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を有し、前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を有し、前記ゲート絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層を有し、室温以上180°C以下の温度範囲において、しきい値の変動幅が3V以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/78 627F

Fターム (52件)：

5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110HK31 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (2件)

発光装置とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-036044 出願人：キヤノン株式会社
薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-046233 出願人：三星モバイルディスプレイ株式會社

審査官引用 (1件)

発光装置とその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-036044 出願人：キヤノン株式会社

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