半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-265362
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077844
特許番号：特許第3660897号
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に設けられた絶縁膜の開口部内に、導電型の異なる複数の半導体層を形成する半導体装置の製造方法であって、成長室内で、上記開口部内に第1導電型の第1の半導体層を形成し、上記成長室から上記基板を水素雰囲気中に搬出し、上記成長室内の堆積物を除去し、上記成長室内で、上記第1の半導体層上に、第1導電型と反対導電型である第2導電型の第2の半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/205 , C23C 16/54 , H01L 21/331 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/732 , H01L 29/737 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/54 , H01L 29/72 S , H01L 29/72 H , H01L 29/78 301 B , H01L 27/08 321 C

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭61-083700
特開昭58-025226
半導体装置の製造方法および半導体製造装置並びに半導体レーザの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-012325 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (10件)

特開昭61-083700
特開昭61-083700
特開昭58-025226

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