特許
J-GLOBAL ID：201103084874014136
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188760
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015558
特許番号：特許第3879319号
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】平坦な下面に外部電極を形成し、上面に段差部分が傾斜をなした凹部を有し、前記凹部内の面に配線電極を有したキャリア基板と、
前記キャリア基板の前記凹部に載置され、突起電極を介して前記配線電極と接続された半導体素子と、
前記半導体素子と前記キャリア基板の凹部との間に設けられた樹脂部とよりなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ( 200 6.01)
, H01L 21/56 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/56 E
, H01L 23/12 F
