特許
J-GLOBAL ID：201103085150999803

半導体装置

発明者：
疋田 純一

疋田 純一 について

, 
中川 義和

中川 義和 について

, 
熊本 信久

熊本 信久 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025910
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223517
特許番号：特許第3365743号
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】素子形成領域を有する半導体基板と、この半導体基板の前記素子形成領域に形成された内部バンプと、前記半導体基板上に前記内部バンプの周囲を取り囲むように形成された周囲バンプと、前記半導体基板上に形成され、前記内部バンプと前記周囲バンプとを接続する接続バンプとを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/301 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (3件)：
H01L 21/92 602 N ,  H01L 21/78 L ,  H01L 25/08 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM