特許
J-GLOBAL ID:201103085196535526
固体撮像装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
阿部 琢磨
, 黒岩 創吾
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-274964
公開番号(公開出願番号):特開2011-119946
出願日: 2009年12月02日
公開日(公表日): 2011年06月16日
要約:
【課題】 転送トランジスタからの暗電流を抑制しつつ、第2の半導体基板の低電源圧化を両立する。【解決手段】 本発明は、画素配列と複数の画素からの信号が読み出される複数の共通出力線と、複数の転送トランジスタを順次駆動するための転送用走査部と、前記共通出力線へ出力された信号を処理する信号処理部と、を有し、前記画素配列が第1の半導体基板に配され、前記複数の共通出力線及び前記信号処理部が第2の半導体基板に配された固体撮像装置であって、前記転送トランジスタのゲートに供給されるパルスの振幅を、前記第2の半導体基板に配された前記信号処理部を構成するトランジスタのゲートに供給される振幅よりも大きくするためのレベルシフト部を有し、該レベルシフト部が前記第1の半導体基板に配されている。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
光電変換部と前記光電変換部の電荷を転送する転送トランジスタとを有する画素を複数含む画素配列と
前記画素配列に含まれる複数の画素からの信号が読み出される、複数の共通出力線と、
前記複数の転送トランジスタを順次駆動するための転送用走査部と、
前記共通出力線へ出力された信号を処理する信号処理部と、を有し、
前記画素配列が第1の半導体基板に配され、前記複数の共通出力線及び前記信号処理部が第2の半導体基板に配された固体撮像装置であって、
前記転送トランジスタのゲートに供給されるパルスの振幅を、前記第2の半導体基板に配された前記信号処理部を構成するトランジスタのゲートに供給される振幅よりも大きくするためのレベルシフト部を有し、
該レベルシフト部が前記第1の半導体基板に配されていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件):
FI (3件):
H04N5/335 Z
, H01L27/14 F
, H04N5/335 E
Fターム (17件):
4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118BA19
, 4M118CA04
, 4M118DD04
, 4M118DD09
, 4M118DD12
, 4M118FA33
, 4M118HA21
, 4M118HA22
, 4M118HA31
, 5C024AX01
, 5C024CY47
, 5C024GY31
, 5C024HX12
引用特許:
出願人引用 (6件)
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撮像装置と撮像装置用の電源供給方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-135894
出願人:ソニー株式会社
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信号処理回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-067449
出願人:浜松ホトニクス株式会社
-
固体撮像素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-003394
出願人:株式会社ニコン
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審査官引用 (4件)