III族窒化物半導体発光ダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿沼伸司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-028941
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232000
特許番号：特許第3646655号
出願日： 2001年02月06日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】珪素(Si)単結晶基板と、該基板表面上に設けられたリン(P)または砒素(As)を構成元素として含むIII-V族化合物半導体からなる緩衝層と、該緩衝層上に設けられた含インジウムIII族窒化物半導体からなる発光層を該発光層に格子整合するp形並びにn形III族窒化物半導体からなるクラッド層で挟持したpn接合型ダブルヘテロ接合構造の発光部と、該発光部上に設けられた窒化砒化硼素(BN1-XAsX、但し0.77≦X≦1)からなる電流拡散層とを少なくとも備えてなるIII族窒化物半導体発光ダイオード。

IPC (2件)：