特許
J-GLOBAL ID：201103085541177689
III族窒化物半導体結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-077174
公開番号（公開出願番号）：特開2011-207676
出願日： 2010年03月30日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：
【課題】結晶成長速度、育成量を向上させ、かつ結晶の厚さの均一性を高めることが可能なNaフラックス法によるGaN結晶の製造方法を提供する。【解決手段】Naフラックス法によるGaN結晶育成中、混合融液中のGaN結晶表面から気液界面までの距離を10mm以下に保持し、坩堝と種結晶とを下記回転モードでそれぞれ独立に回転させた。すなわち、坩堝の回転方向を周期的に反転させ、種結晶の回転方向を坩堝の回転方向とは完全に逆方向とした。このような条件で坩堝および種結晶を回転させながらGaN結晶を育成することにより、GaN結晶の成長速度が早くなって育成量を向上させるとともに、GaN結晶の厚さを均一にすることができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、種結晶とを坩堝に保持し、前記混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させ、前記種結晶にIII 族窒化物半導体を結晶成長させるIII 族窒化物半導体結晶の製造方法において、
前記III 族窒化物半導体結晶を結晶成長させる工程中、
前記混合融液中の前記III 族窒化物半導体結晶の表面から、前記混合融液と前記気体との気液界面までの距離を、10mm以下に保持し、
前記種結晶と前記坩堝をそれぞれ独立に回転させ、かつ、前記種結晶の回転方向を前記坩堝の回転方向とは逆方向とする、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CG02
, 4G077EA04
, 4G077EH08
, 4G077QA04
, 4G077QA12
, 4G077QA29
, 4G077QA34
, 4G077QA54
