特許

J-GLOBAL ID：200903036590187291

III族窒化物の結晶成長方法及び結晶成長装置

発明者： 庄子 浩義 ,  皿山 正二 ,  岩田 浩和
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-058466
公開番号（公開出願番号）：特開2005-247615
出願日： 2004年03月03日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】 余分な核発生を抑え、大型かつ高品質のIII族窒化物結晶を作製することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 アルカリ金属を含む融液3中でIII族金属と窒素を反応させてIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、III族窒化物の結晶成長中にアルカリ金属とIII族金属の混合融液3を攪拌する工程を有している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

アルカリ金属を含む融液中でIII族金属と窒素を反応させてIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、III族窒化物の結晶成長中にアルカリ金属とIII族金属の混合融液を攪拌する工程を有していることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。

IPC (3件)：

C30B29/38 ,  C30B9/10 ,  C30B29/40

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B9/10 ,  C30B29/40 501B

Fターム (8件)：

4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CG06 ,  4G077EA04 ,  4G077EC09 ,  4G077NB01 ,  4G077PA08 ,  4G077QA12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-018507   出願人：株式会社リコー

審査官引用 (3件)

• 化合物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-041711   出願人：松下電器産業株式会社, 森勇介
• 発泡性を有する化粧料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-247920   出願人：ポーラ化成工業株式会社
• III族窒化物結晶の結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-268394   出願人：株式会社リコー

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Novel liquid phase epitaxy(LPE) growth method for growing large GaN single crystal: introduction of