薄膜形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-277697
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086583
特許番号：特許第3583393号
出願日： 2001年09月13日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板に転写するための薄膜を転写元の基材上に形成する薄膜形成方法において、前記基材の主表面の中央部に配置された中央領域の周囲に、表面の濡れ性が前記薄膜の材料である液状の薄膜材料に対して向上したリング状の処理領域を形成する表面処理工程と、この表面処理工程の後、前記基材の主表面に前記薄膜材料を塗布し、前記中央領域を全て覆い周縁部が前記処理領域上にまで延在する薄膜を形成する塗布工程とを備えたことを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (1件)：