光学素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日比谷征彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217807
公開番号（公開出願番号）：特開2001-042114
特許番号：特許第3442004号
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】量子化した高さ分布をリソグラフィ技術を用いて基板上に形成する工程を含む光学素子の製造方法において、前記基板における前記高さ分布の最小単位を構成するべき単位領域同士の境界付近に、該境界を含みかつ前記単位領域の幅よりも狭い幅のマスクを形成することにより、前記境界付近を非加工領域とした状態で前記基板の他の領域を加工することにより前記基板に前記量子化した高さ分布を与えることを特徴とする光学素子の製造方法。

IPC (5件)：