特許
J-GLOBAL ID：201103086397457635
成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-161955
公開番号（公開出願番号）：特開2011-086912
出願日： 2010年07月16日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：
【課題】大面積の基板であっても良質な膜を成膜することが可能な成膜装置を提供する。【解決手段】気密な処理容器10内にて反応ガスを反応させて基板Sに薄膜を成膜する成膜装置1aにおいて、仕切り壁41は基板Sの上方空間をプラズマ生成空間401と排気空間402とに横方向に分割すると共に、処理容器10の天井部から下方に伸びてその下端と基板Sとの間に、プラズマ生成空間401から排気空間402にガスを流す隙間を形成する。活性化手段42、43はプラズマ生成空間401に供給された第1の反応ガスを活性化してプラズマを生成する。第2の反応ガス供給部411、412は、プラズマ生成空間401の下部側に第1の反応ガスの活性種と反応して基板上に薄膜を成膜する第2の搬送ガスを供給し、真空排気口23は仕切り壁41の下端よりも高い位置より排気空間402を排気する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
気密な処理容器内にて複数種類の反応ガスを反応させて基板に薄膜を成膜する成膜装置において、
前記処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置台と、
基板の上方空間をプラズマ生成空間と排気空間とに横方向に分割するために設けられ、前記処理容器の天井部から下方に伸びると共にその下端と載置台上の基板との間に、前記プラズマ生成空間から排気空間にガスが流れるための隙間が形成された仕切り壁と、
前記プラズマ生成空間に第1の反応ガスを供給するための第1の反応ガス供給部と、
前記プラズマ生成空間に供給された第1の反応ガスを活性化してプラズマを生成するための活性化手段と、
前記プラズマ生成空間内の下部側または当該プラズマ生成空間よりも下方側に、第1の反応ガスの活性種と反応して基板上に薄膜を成膜する第2の反応ガスを供給するための第2の反応ガス供給部と、
前記排気空間を排気するための真空排気口と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/455
, C23C 16/509
H01L21/205
, C23C16/455
, C23C16/509
4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030BA29
, 4K030EA03
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030EA11
, 4K030FA01
, 4K030FA03
, 4K030FA04
, 4K030KA12
, 4K030KA15
, 4K030KA30
, 4K030LA16
, 5F045AA08
, 5F045AA09
, 5F045AB02
, 5F045AB03
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045BB02
, 5F045BB08
, 5F045EF14
, 5F045EF20
, 5F045EG05
, 5F045EH02
, 5F045EH04
, 5F045EH05
, 5F045EH11
, 5F045EH12
