半導体装置の製造方法及びその製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-171622
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351949
特許番号：特許第3633442号
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】加熱器及び冷却器を備えるボンディングステージに配線パターンが形成された基板を載置し、画像センサによって前記配線パターンのボンディング位置を検出し、前記検出の結果得られたボンディング位置と、前記電極の形成位置に対応した所定のボンディング位置と、を比較して両者の位置が異なる場合に、前記加熱器及び前記冷却器により前記ボンディングステージの温度をコントロールして前記基板を膨張又は収縮させることによって、前記配線パターンのボンディング位置を前記所定のボンディング位置に一致させ、前記基板に半導体チップを搭載することを含む半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：