特許
J-GLOBAL ID：201103087533421166

半導体装置の製造方法

発明者：
杉本 賢

杉本 賢 について

, 
大倉 嘉之

大倉 嘉之 について

, 
綿谷 宏文

綿谷 宏文 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-157149
公開番号（公開出願番号）：特開2011-014699
出願日： 2009年07月01日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：
【課題】信頼性の向上に寄与し得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10上にトランジスタ34を形成する工程と、半導体基板上及びトランジスタ上に複数の部分膜36a、38a、40a、42を積層することにより、複数の部分膜を有する第1の絶縁層44を形成する工程と、第1の絶縁層上に、第1の絶縁層とエッチング特性が異なる第2の絶縁層46を形成する工程と、第1の絶縁層をエッチングストッパとして、第2の絶縁層をエッチングすることにより、第2の絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、コンタクトホール内に露出する第1の絶縁層をエッチングする工程とを有し、第1の絶縁層を形成する工程では、複数の部分膜のうちの最上層の部分膜以外の部分膜に対して膜を収縮させるキュア処理を行い、複数の部分膜のうちの最上層の部分膜に対してキュア処理を行わない。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板上にトランジスタを形成する工程と、 前記半導体基板上及び前記トランジスタ上に複数の部分膜を積層することにより、前記複数の部分膜を有する第1の絶縁層を形成する工程と、 前記第1の絶縁層上に、前記第1の絶縁層とエッチング特性が異なる第2の絶縁層を形成する工程と、 前記第1の絶縁層をエッチングストッパとして、前記第2の絶縁層をエッチングすることにより、前記第2の絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、 前記コンタクトホール内に露出する前記第1の絶縁層をエッチングする工程とを有し、 前記第1の絶縁層を形成する工程では、前記複数の部分膜のうちの最上層の部分膜以外の部分膜に対して膜を収縮させるキュア処理を行い、前記複数の部分膜のうちの前記最上層の部分膜に対してキュア処理を行わない ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/823 ,  H01L 21/318
FI (8件)：
H01L29/78 301N ,  H01L21/90 M ,  H01L21/90 P ,  H01L29/78 301P ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 102D ,  H01L21/90 C ,  H01L21/318 M
Fターム (98件)：
5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM07 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS27 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX19 ,  5F048AA07 ,  5F048AA08 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BH01 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03 ,  5F140AA36 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF59 ,  5F140BF60 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG34 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC11 ,  5F140CC13 ,  5F140CC19 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04 ,  5F140CF05
引用特許：
審査官引用 (2件)

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