特許
J-GLOBAL ID:201103087605911864
酸化物超電導薄膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
上代 哲司
, 神野 直美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-128063
公開番号(公開出願番号):特開2011-253766
出願日: 2010年06月03日
公開日(公表日): 2011年12月15日
要約:
【課題】高Icの厚膜化ができ、再現良く高Ic値を得ることができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】フッ素を含まない金属有機化合物を用いて塗布熱分解法により超電導線材用の酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、金属有機化合物の有機成分を熱分解するための仮焼成を水蒸気を含む雰囲気中で行い、さらに、結晶化熱処理のための本焼成熱処理の前に、前記本焼成熱処理を施す薄膜に含まれる炭酸塩を熱分解するための中間熱処理を行う。前記の中間熱処理は、650〜720°Cの温度範囲で、10〜180分行う熱処理であり、酸化物超電導薄膜の厚さは0.3〜5μmである。【選択図】図4
請求項(抜粋):
フッ素を含まない金属有機化合物を用いて塗布熱分解法により超電導線材用の酸化物超電導薄膜を製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、
前記金属有機化合物の有機成分を熱分解するための仮焼成を水蒸気を含む雰囲気中で行い、
さらに、結晶化熱処理のための本焼成熱処理の前に、前記本焼成熱処理を施す薄膜に含まれる炭酸塩を熱分解するための中間熱処理を行う
ことを特徴とする酸化物超電導薄膜の製造方法。
IPC (5件):
H01B 13/00
, H01B 12/06
, C01G 1/00
, C01G 3/00
, H01L 39/24
FI (5件):
H01B13/00 565D
, H01B12/06
, C01G1/00 S
, C01G3/00
, H01L39/24 B
Fターム (19件):
4G047JA03
, 4G047JC02
, 4G047KD02
, 4G047KG01
, 4G047KG04
, 4M113AD35
, 4M113AD36
, 4M113BA23
, 4M113BA29
, 4M113BA30
, 4M113CA34
, 5G321AA02
, 5G321AA04
, 5G321CA04
, 5G321CA21
, 5G321CA24
, 5G321CA27
, 5G321DB22
, 5G321DB47
引用特許:
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