フラッシュメモリ管理装置及び記録媒体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334875
公開番号（公開出願番号）：特開2001-154909
特許番号：特許第3793868号
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】フラッシュメモリが有する複数のブロックを一次ブロック群と二次ブロック群とに分けて設定するブロック設定手段と、前記各ブロックが有する複数のセクタエリアの個々のセクタエリアにデータを書き込むセクタデータ書き込み手段と、前記一次ブロック群から確保された一次ブロック内の全セクタエリアがデータ書き込み済みである場合には、当該一次ブロックの拡張ブロックとして前記二次ブロック群から確保した二次ブロックを用いるブロック拡張手段と、このブロック拡張手段により拡張された二次ブロック内の全セクタエリアがデータ書き込み済みである場合には、前記データ書き込み済みである一次ブロックと二次ブロック内の有効なセクタデータを整理して新たな一次ブロックを生成するブロック整理手段と、このブロック整理手段によるデータ整理後の元の一次ブロックと二次ブロックそれぞれの全セクタエリアのデータを消去するブロック解放手段と、を備えたことを特徴とするフラッシュメモリ管理装置。

IPC (3件)：

G06F 12/02 ( 200 6.01) , G06F 12/00 ( 200 6.01) , G06F 12/16 ( 200 6.01)

FI (6件)：

G06F 12/02 510 A , G06F 12/02 530 C , G06F 12/00 597 U , G06F 12/00 542 L , G06F 12/16 310 A , G06F 12/16 340 P

引用特許：

出願人引用 (4件)

フラッシュディスクカード
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-274943 出願人：三菱電機株式会社
半導体不揮発性大容量記憶メモリ内の自動摩耗レベリングによるシステム・データ制御の方法およびアーキテクチャ
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-512147 出願人：レクサー・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド
フラッシュメモリを複数使用した外部記憶装置のデータ記憶制御方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-288576 出願人：株式会社日立製作所

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