特許
J-GLOBAL ID：200903042610075657
半導体不揮発性大容量記憶メモリ内の自動摩耗レベリングによるシステム・データ制御の方法およびアーキテクチャ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-512147
公開番号（公開出願番号）：特表平11-512544
出願日： 1996年09月12日
公開日（公表日）： 1999年10月26日
要約：
【要約】半導体不揮発性大容量記憶メモリをユーザ・ファイルとシステム・ファイルとに区分する。システム・ファイル区間をさらに、それぞれが複数のセクタを有するクラスタに再分割する。各クラスタは単一の所定のLBAに対するシステム・ファイルを記憶する。LBA内の情報が変更されると、新しい情報がクラスタ内の空のセクタに書き込まれる。クラスタが満杯になると、システムはクラスタを再使用のために消去するか、あるいは好ましくは空のクラスタを見つけ出し、その新しいクラスタでこのプロセスを繰り返す。全てのクラスタが満杯になると、古いデータを含むクラスタは再使用のため消去される。
請求項（抜粋）：
データを記憶するための個別にアドレス可能な複数のセクタを含み、 a.ユーザ・ファイルを記憶するための複数のセクタを有する、半導体不揮発性大容量記憶メモリ内の第1の区画と、 b.システム・ファイルを記憶するための半導体不揮発性大容量記憶メモリ内の第2の区画であって、その区画は、さらに複数のクラスタを含み、各クラスタが複数のセクタを有し、各クラスタが、そのクラスタ内の一つのセクタ内に所定の論理ブロック・アドレスに対してシステム・セクタを記憶する第2の区画と、 c.そのクラスタ内の空のセクタ中に置換システム・セクタを書き込み、かつ置換システム・セクタに指標を与える制御回路とを含む半導体不揮発性大容量記憶メモリ。
IPC (2件)：
G06F 12/00 542
, G11C 16/02
G06F 12/00 542 D
, G11C 17/00 601 C
