特許
J-GLOBAL ID：200903077703817937

フラッシュメモリを複数使用した外部記憶装置のデータ記憶制御方法及び装置

発明者：
久布白 紀子

久布白 紀子 について

, 
菅谷 祐二

菅谷 祐二 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-288576
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126488
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】データ消去待ち時間及び消去回数の計算時間の必要なくフラッシュメモリの長寿命化を図る外部記憶装置のデータ記憶制御方法及び装置を実現する。【解決手段】書換用フラッシュメモリ7a〜7cは7aから7cへと順にデータを格納しCPU2はメモリ7cの空領域がなくなるとメモリ7aのガベージコレクションをガベージコレクション用フラッシュメモリ7d、7eのうち7dに行い、同時にホスト1からライトアクセスがきたらこれを優先しメモリ7dに行う。メモリ7aのガベージコレクションが終るとメモリ7bのガベージコレクションをメモリ7eに行いメモリ7bのガベージコレクションと同時にメモリ7aのデータ消去を行う。メモリ7cはCPU2により書換データ用フラッシュメモリとなる。メモリ7bのガベージコレクションが終了したらデータの一括消去を行いメモリ7eを書換データ用フラッシュメモリとする。次に、メモリ7cのガベージコレクションを同様に実行する。
請求項（抜粋）：
書換回数に制限があり、実際にデータを書き込むための物理セクタよりも消去ブロックが大きく、消去ブロック内のデータを一括消去するフラッシュメモリを複数用いた外部記憶装置のデータ記憶制御方法において、複数のフラッシュメモリを外部からの書換データを格納する一定の数の書換データ用フラッシュメモリと、ガベージコレクション用フラッシュメモリとに分割し、外部からの書換データは書換データ用フラッシュメモリに追記型でデータ書込みを行い、書換データ用フラッシュメモリに空領域がなくなったら、書換データ用フラッシュメモリのデータを消去する前に、書換データ用フラッシュメモリの有効データをガベージコレクション用フラッシュメモリに移動するガベージコレクションを行い、それ以降の外部からの書換データはガベージコレクション用フラッシュメモリに格納し、書換データ用フラッシュメモリからガベージコレクション用フラッシュメモリへの有効データの移動終了後は、書換データ格納用フラッシュメモリを一括消去し、書換データ用フラッシュメモリのデータ消去と、外部からのデータアクセスを並列実行することを特徴とするフラッシュメモリを使用した外部記憶装置のデータ記憶制御方法。
IPC (3件)：
G11C 16/02 ,  G06F 12/02 530 ,  G06F 12/16 310
FI (3件)：
G11C 17/00 601 C ,  G06F 12/02 530 C ,  G06F 12/16 310 A
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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