特許

J-GLOBAL ID：201103088312179685

半導体記憶装置

発明者： 樋口 勉
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (2件)： 清水 守 ,  川合 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364210
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185682
特許番号：特許第4011248号
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 データを格納するメモリセルを複数有する複数のメモリセルアレイと、 複数のキャパシタを有する昇圧電源発生回路であって、電源電位よりも高い昇圧電源電位を生成し、前記メモリセルアレイへ前記昇圧電源電位を供給する昇圧電源発生回路とを有する半導体記憶装置であって、 前記キャパシタの各々は基本単位となるモジュールで構成され、複数の前記モジュールは列状に配置されており、前記モジュールの各々はキャパシタの一方の電極を構成するゲートと、キャパシタの他方の電極を構成する不純物領域と、前記ゲートに電気的に接続され所定の方向に延在する第1配線であって、前記ゲートと重なるように前記ゲートの上方に配置された第1配線と、前記不純物領域に電気的に接続され前記所定の方向に延在し前記第1配線と同一の層で形成された第2配線であって、前記ゲートと重なるように前記ゲートの上方に配置された第2配線とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 11/4074 ( 200 6.01) ,  G11C 11/401 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (6件)：

G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 362 H ,  G11C 11/34 371 K ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/04 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• メモリ集積回路の昇圧電源回路及び昇圧電源の電荷量制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-050632   出願人：三星電子株式会社
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-286117   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 特開平4-370965