特許
J-GLOBAL ID：201103088923791424
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334658
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156168
特許番号：特許第3348785号
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の素子が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記複数の素子どうしを接続するための銅からなる信号線や前記複数の素子に電源を供給するための銅からなる電源線及び接地線を具備する複数の配線層とを有し、前記複数の配線層間における信号線、電源線及び接地線の接続が、前記信号線、電源線及び接地線下に形成されたビアによってなされる半導体装置において、前記信号線下に形成されたビアはタングステンで形成され、前記信号線はシングルダマシン工程によって形成され、前記電源線及び接地線、並びに該電源線及び接地線下に形成されたビアは、デュアルダマシン工程によって形成され、かつ、当該ビアの面積が前記信号線下に形成されたビアの面積の12.9倍以上になるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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