特許
J-GLOBAL ID:201103089067599920
成膜装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡辺 敬介
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-138174
公開番号(公開出願番号):特開2000-327483
特許番号:特許第3684106号
出願日: 1999年05月19日
公開日(公表日): 2000年11月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】 蒸発源からの材料線を基板上に照射して膜を形成する成膜手段と、該基板上に形成された成膜面に光を照射するための光源と、該光源から照射された光により、該成膜面から放出された光電子を検出する電子検出手段とを備えた成膜装置であって、前記電子検出手段は、前記成膜面から放出された光電子を結像面に結像するためのレンズ鏡筒と、前記結像面での電子強度分布を表示および、または記録する手段と、前記材料線の照射時と光電子検出時で前記レンズ鏡筒と成膜面との距離を変化させる手段とを有することを特徴とする成膜装置。
IPC (7件):
C30B 23/08
, C23C 14/54
, G01N 1/28
, G01N 23/225
, G01N 23/227
, H01J 37/295
, H01L 21/203
FI (7件):
C30B 23/08 M
, C23C 14/54 E
, G01N 23/225
, G01N 23/227
, H01J 37/295
, H01L 21/203 M
, G01N 1/28 N
引用特許:
審査官引用 (9件)
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特開昭50-019681
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特開昭50-019681
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特開平1-206617
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特開平1-206617
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成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-295581
出願人:株式会社日立製作所
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薄膜成長表面その場評価法及び薄膜形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-089160
出願人:財団法人ファインセラミックスセンター, 松下電器産業株式会社
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特許第2643328号
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特許第2643328号
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特開平3-074039
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