特許
J-GLOBAL ID：201103089586718937

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者：
北村 昌太郎

北村 昌太郎 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-275260
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119434
出願日： 2009年12月03日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
【課題】良好な単一モード発振の安定性を保ちながら、光出力の前方後方比の高い分布帰還型半導体レーザを実現する。【解決手段】光導波路に回折格子が形成されている構造の分布帰還型半導体レーザであって、前記光導波路の一部領域において、回折格子(GTG1)により屈折率に分布を設けた部分と、前記回折格子が無く均一の屈折率の部分(スペース8)が、交互に繰り返し形成されており、前記回折格子が無く均一の屈折率の部分(スペース8)が、レーザ発振波長の半整数倍となる光学路長であり、回折格子(GTG1)により屈折率に分布を設けた部分は少なくとも該回折格子5周期以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光導波路に回折格子を含む分布帰還型の半導体レーザ素子であって、 前記光導波路が、その一部に、 回折格子により屈折率に分布を設けた部分と、 回折格子が無く屈折率が均一の部分と、 が交互に繰り返して配設された、回折格子が疎の領域を有し、 前記回折格子により屈折率に分布を設けた部分が、予め定められた所定数以上の周期の回折格子を含み、 前記回折格子が無く屈折率が均一の部分が、レーザ発振波長の半整数倍の光学路長である、素子。
IPC (1件)：
H01S 5/12
FI (1件)：
H01S5/12
Fターム (6件)：
5F173AA24 ,  5F173AA27 ,  5F173AB15 ,  5F173AB19 ,  5F173AH14 ,  5F173AR03
引用特許：
審査官引用 (6件)
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