半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-276891
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086493
特許番号：特許第3807964号
出願日： 2001年09月12日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に被加工材料の層を形成し、形成された被加工材料層上にスリットを含むレジストパターンを形成し、次いで、前記レジストパターンを加熱して熱変形させ、熱変形した前記レジストパターンをマスクパターンにして前記被加工材料層をエッチングする工程とからなり、前記スリットは、レジストパターンの表面を、一辺が所定長さを有する小部分に区画するようレジストパターンの表面に所定のスリット幅を有して形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：