特許
J-GLOBAL ID：201103090530896652
高平坦度ウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-148250
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340571
特許番号：特許第3606432号
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体ウェーハをエッチングする工程と、 このエッチング後の半導体ウェーハの表面を研削する工程と、 この表面の研削後、この半導体ウェーハの研削された表面をアルカリ性の洗浄液を用いて洗浄する工程と、 この洗浄後、半導体ウェーハの裏面に所定の裏面処理を施す工程と、 この後、半導体ウェーハの表面を鏡面研磨する工程とを備えた高平坦度ウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/322
, H01L 21/283
, H01L 21/304
, H01L 21/306
H01L 21/322 M
, H01L 21/283 B
, H01L 21/304 601 S
, H01L 21/304 622 P
, H01L 21/306 M
