半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：三好秀和 , 伊藤正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-095152
公開番号（公開出願番号）：特開2011-233889
出願日： 2011年04月21日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：

【課題】低いチャネル抵抗を具現し、電界効果移動度が高くなる効果がある二重ゲートトランジスタを含む半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による半導体装置は、下部ゲート電極と、前記下部ゲート電極上の上部ゲート電極と、前記下部ゲート電極と前記上部ゲート電極の間に介在され、前記下部ゲート電極と前記上部ゲート電極を連結するコンタクトプラグと、前記上部ゲート電極と同一の高さに前記上部ゲート電極から離隔して形成された機能電極と、を含む。本発明によれば、電界効果移動度が高い二重ゲートトランジスタを半導体装置に適用させることによって、半導体装置の特性を改善することができる。特に、本発明によれば、別途のマスク工程や蒸着工程を追加する必要がないので、工程コストの上昇や収率減少をもたらすことなく、大面積・高画質の半導体装置を大量生産することができる。【選択図】図1c

請求項（抜粋）：

下部ゲート電極と、前記下部ゲート電極上の上部ゲート電極と、前記下部ゲート電極と前記上部ゲート電極との間に介在され、前記下部ゲート電極と前記上部ゲート電極を連結するコンタクトプラグと、前記上部ゲート電極と同一の高さに前記上部ゲート電極から離隔して形成された機能電極と、を含む半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/417 , G02F 1/136 , H05B 33/10 , H01L 51/50 , H05B 33/08 , H01L 29/41

FI (9件)：

H01L29/78 617N , H01L29/78 627C , H01L29/58 G , H01L29/50 M , G02F1/1368 , H05B33/10 , H05B33/14 A , H05B33/08 , H01L29/44 L

Fターム (80件)：

2H092GA29 , 2H092JA24 , 2H092JA36 , 2H092JA38 , 2H092JA40 , 2H092JA46 , 2H092JB57 , 2H092KA08 , 2H092KA10 , 2H092KA12 , 2H092KB22 , 2H092NA17 , 2H092NA22 , 2H092NA27 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC42 , 3K107CC45 , 3K107EE03 , 3K107EE04 , 3K107GG28 , 3K107HH05 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB16 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD07 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD63 , 4M104DD94 , 4M104FF01 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104HH00 , 4M104HH16 , 5F110AA01 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE24 , 5F110EE30 , 5F110EE38 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG32 , 5F110HK03 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HL22 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN13 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ08

引用特許：

審査官引用 (2件)

表示用薄膜半導体素子及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-131151 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-095107 出願人：日本電気株式会社

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