特許
J-GLOBAL ID：200903040330530798

表示用薄膜半導体素子及び表示装置

発明者：
池田 裕幸

池田 裕幸 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-131151
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323715
出願日： 1999年05月12日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 表示用薄膜半導体素子の動作安定化及び高開口率化を図る。【解決手段】 表示用薄膜半導体素子は、ガラスなどからなる基板1上に複数本の走査線2とこれらに直交する複数本の信号線3が形成されている。各走査線2と各信号線3の交差部には、少なくともゲート電極とソースS及びドレインDを具備し半導体薄膜4を活性層とする薄膜トランジスタと、ドレインDと電気的に接続した画素電極10とが形成されている。ゲート電極5,6は半導体薄膜4に対し絶縁膜を介して上下に設けられ且つ対応する走査線2に接続される一方、ソースSは対応する信号線3に接続されている。画素電極10は下層に位置する薄膜トランジスタから有機着色膜8及び平坦化膜9により隔てられて上層に配されており直接又はパッド配線7を介して対応するドレインDに接続している。半導体薄膜4を上方の画素電極10から電気的に遮蔽し且つ上方の有機着色膜8などから保護する為に上側ゲート電極6を設けている。
請求項（抜粋）：
基板上に複数本の走査線とこれらに直交する複数本の信号線が形成されており、各走査線と各信号線の交差部には、少なくともゲート電極とソース及びドレインを具備し半導体薄膜を活性層とする薄膜トランジスタと、該ドレインと電気的に接続した画素電極とが形成されており、該ゲート電極は該半導体薄膜に対し絶縁膜を介して上下に設けられ且つ対応する走査線に接続される一方、該ソースは対応する信号線に接続されており、該画素電極は下層に位置する薄膜トランジスタから有機又は無機の絶縁層により隔てられて上層に配されており該ドレインに直接又は配線を介して電気的に接続している表示用薄膜半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1365 ,  G09F 9/30 338
FI (4件)：
H01L 29/78 617 N ,  G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B
Fターム (106件)：
2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA36 ,  2H092JA38 ,  2H092JA39 ,  2H092JA42 ,  2H092JA43 ,  2H092JA44 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB42 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092KA22 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA41 ,  2H092MA58 ,  2H092NA07 ,  2H092NA25 ,  2H092NA30 ,  2H092PA06 ,  5C094AA05 ,  5C094AA12 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5C094EB04 ,  5C094EB05 ,  5C094ED03 ,  5C094FB12 ,  5C094FB15 ,  5F110AA18 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN14 ,  5F110NN15 ,  5F110NN16 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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