特許
J-GLOBAL ID:201103090704559022

シクロペンテノン誘導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小林 浩 ,  片山 英二 ,  小林 純子 ,  黒田 薫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-191304
公開番号(公開出願番号):特開2002-003433
特許番号:特許第4255603号
出願日: 2000年06月26日
公開日(公表日): 2002年01月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】下記式(I)で示されるシクロペンテノン誘導体の製造方法であって、 (式中、R1及びR2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子;置換基を有していてもよいC1〜C20炭化水素基;置換基を有していてもよいC1〜C20アルコキシ基;置換基を有していてもよいC6〜C20アリールオキシ基;又はシリル基であり、ただし、R1及びR2は互いに、架橋して、C4〜C10飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子又は式-N(R4)-で示される基(式中、R4は、水素原子又はC1〜C20炭化水素基である。)で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。) 下記式(II)で示されるチタン化合物と、 (式中、Mは、チタンを示し、L1及びL2は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示し、ただし、L1及びL2は、架橋されていてもよく、Z1及びZ2は、エチル基である。) 下記式(III)に示されるアルキンと、 (式中、R1及びR2は、上記意味を有する。) 式Y1-C(=O)OR3で示されるエステル(IV)と (式中、R3は、水素原子又はC1〜C20炭化水素基であり、Y1は脱離基である。) を反応させることを特徴とする、シクロペンテノン誘導体の製造方法。
IPC (3件):
C07C 45/69 ( 200 6.01) ,  C07C 49/597 ( 200 6.01) ,  C07C 49/683 ( 200 6.01)
FI (3件):
C07C 45/69 ,  C07C 49/597 ,  C07C 49/683
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献:
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