特許

J-GLOBAL ID：201103090744020320

半導体トランジスタ

発明者： 神林 宏 ,  上野 勝典 ,  野村 剛彦 ,  佐藤 義浩 ,  寺本 章伸 ,  大見 忠弘
出願人/特許権者： 次世代パワーデバイス技術研究組合 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-045547
公開番号（公開出願番号）：特開2011-181752
出願日： 2010年03月02日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

【課題】GaN系半導体/ゲート絶縁膜の界面特性、及び、ゲート絶縁膜の膜質が共に良好である半導体トランジスタを提供する。【解決手段】半導体トランジスタ11は、GaN系の半導体から成る活性層3と、活性層3上に形成されたゲート絶縁膜とを備える。ゲート絶縁膜は、活性層3上に形成され、Al2O3,HfO2,ZrO2,La2O3,Y2O3から成る群から選択された1つ以上の化合物を含む第1の絶縁膜6と、第1の絶縁膜6上に形成され、SiO2から成る第2の絶縁膜7とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaN系の半導体から成る活性層と、 標準生成エンタルピーの絶対値が228kJ/molよりも大きい絶縁膜から成る群から選択された1つ以上の化合物を含む第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、SiO2から成る第2の絶縁膜と、を有するゲート絶縁膜と、 を備えることを特徴とする半導体トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T

Fターム (69件)：

5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA12 ,  5F110AA30 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF32 ,  5F110GG04 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BG02 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ18 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140CE02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-157587   出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-157587   出願人：日本電信電話株式会社