特許
J-GLOBAL ID：200903078682606627

半導体装置

発明者：
前田 就彦

前田 就彦 について

, 
廣木 正伸

廣木 正伸 について

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小林 隆

小林 隆 について

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榎木 孝知

榎木 孝知 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (2件)： 小林 茂 ,  阪間 和之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-157587
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302435
出願日： 2008年06月17日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：
【課題】窒化物半導体を用いたMIS構造HFETにおいて、ゲートリーク電流をより効果的に低減し、また、大きなゲート電圧の印加に際してのデバイス信頼性の向上も可能とする、MIS構造HFETを実現すること。【解決手段】窒化物半導体1とゲート電極3との間にゲート絶縁膜を有するヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜は、窒化物半導体1に近い側の第1の絶縁膜6と、ゲート電極3に近い側の第2の絶縁膜7とを構成要素とし、第1の絶縁膜6が、HfO2、HfAlO、HfON、ZrO2を例とする、誘電率が20以上の絶縁物からなる厚さ4nm以上200nm以下の絶縁膜であり、第2の絶縁膜7が、SiO2またはAl2O3からなる厚さ2nm以上かつ第1の絶縁膜6の膜厚以下の絶縁膜であることを特徴とするヘテロ構造電界効果トランジスタを構成する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
窒化物半導体とゲート電極との間にゲート絶縁膜を有するヘテロ構造電界効果トランジスタである半導体装置において、 前記ゲート絶縁膜は、前記窒化物半導体に近い側の第1の絶縁膜と、前記ゲート電極に近い側の第2の絶縁膜とを構成要素とし、 前記第1の絶縁膜が、HfO2、HfAlO、HfON、ZrO2を例とする、誘電率が20以上の絶縁物からなる厚さ4nm以上200nm以下の絶縁膜であり、 前記第2の絶縁膜が、SiO2またはAl2O3からなる厚さ2nm以上かつ前記第1の絶縁膜の膜厚以下の絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/283
FI (8件)：
H01L29/80 Q ,  H01L29/80 F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/283 C ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U
Fターム (51件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG11 ,  4M104GG14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F110AA06 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG44 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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