半導体素子および半導体ウエハ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：特許業務法人ハートクラスタ , 渡辺征一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-233524
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082348
出願日： 2009年10月07日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：

【課題】本発明は、近赤外域に感度を持ち、冷却することなく暗電流を抑制することができる、半導体素子および半導体ウエハを提供することを目的とする。【解決手段】InP基板1上に形成された、単位量子井戸にInxGa1-xAs層(0.38≦x≦0.68)7およびGaAsySb1-y層(0.36≦y≦0.62)8を含む多重量子井戸構造を備え、GaAsySb1-y層の中に、またはGaAsySb1-y層とInxGa1-xAs層との間に、導電帯の底がGaAsySb1-y層よりも高い第1のバリア層B1が位置し、その第1のバリア層の厚みが0.2nm以上2.5nm以下であることを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

InP基板上に形成された、単位量子井戸にInxGa1-xAs層(0.38≦x≦0.68)およびGaAsySb1-y層(0.36≦y≦0.62)を含む多重量子井戸構造を備えた半導体素子であって、前記GaAsySb1-y層の中に、または前記GaAsySb1-y層と前記InxGa1-xAs層との間に、導電帯の底が前記GaAsySb1-y層の導電帯の底よりも高い第1のバリア層が位置し、その第1のバリア層の厚みが0.2nm以上2.5nm以下であることを特徴とする、半導体素子。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (9件)：

5F049MA02 , 5F049MB07 , 5F049NA01 , 5F049NA05 , 5F049NB01 , 5F049QA16 , 5F049QA18 , 5F049SS04 , 5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (1件)

量子層の構造
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-524893 出願人：フラウンホッファーゲゼルシャフトツァフェルダールングデァアンゲヴァンテンフォアシュンクエー.ファオ.

引用文献：

審査官引用 (3件)

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