特許
J-GLOBAL ID：201103091199616527
絶縁膜形成用材料及び絶縁膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-338502
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142477
特許番号：特許第3886779号
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 骨格に炭素結合を有し、一般式
で示される構造を有するシリコン化合物と、
炭素数4以上のアミン化合物であり、熱処理により分解又は揮発する空孔形成用化合物と、
前記シリコン化合物と前記空孔形成用化合物とを溶解する溶剤とを有し、
前記シリコン化合物の骨格におけるシリコン原子に対する酸素原子の比率が、前記シリコン原子1に対して前記酸素原子が0から0.5の範囲である
ことを特徴とする絶縁膜形成用材料。
IPC (10件)：
H01L 21/312 ( 200 6.01)
, C01B 33/12 ( 200 6.01)
, C08J 9/26 ( 200 6.01)
, C08K 5/00 ( 200 6.01)
, C08L 83/04 ( 200 6.01)
, C08L 83/16 ( 200 6.01)
, C09D 5/25 ( 200 6.01)
, C09D 183/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
H01L 21/312 C
, C01B 33/12 C
, C08J 9/26 102
, C08J 9/26 CFH
, C08K 5/00
, C08L 83/04
, C08L 83/16
, C09D 5/25
, C09D 183/04
, H01L 21/90 S
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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