特許
J-GLOBAL ID：201103091221110560

近接場光プローブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置

発明者：
中塚 慎一

中塚 慎一 について

, 
松本 拓也

松本 拓也 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (3件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-333820
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142775
特許番号：特許第3962240号
出願日： 2001年10月31日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板の主面上に形成した互いに導電性の異なる半導体層よりなる1対の反射鏡及び該1対の反射鏡に挟まれた上記半導体層よりも禁制帯幅の狭い活性層を少なくとも有する面発光半導体レーザと、該面発光半導体レーザの上面の光出射位置に形成された近接場光を発生するプローブとを備えており、該面発光半導体レーザを形成する領域以外の該半導体基板の一部に主面からこれに対向する裏面に到達する孔が設けられ、裏面側から該面発光半導体レーザの上面側の上記半導体層へ通電を行なうための電極が該孔を経て形成され、該電極は、該面発光半導体レーザの上面に達しない高さに配置されていることを特徴とする近接場光プローブ集積半導体レーザ。
IPC (6件)：
H01S 5/183 ( 200 6.01) ,  G01N 13/10 ( 200 6.01) ,  G01N 13/14 ( 200 6.01) ,  G11B 7/125 ( 200 6.01) ,  G11B 7/135 ( 200 6.01) ,  G12B 21/06 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01S 5/183 ,  G01N 13/10 G ,  G01N 13/14 B ,  G11B 7/125 A ,  G11B 7/135 A ,  G12B 1/00 601 C
引用特許：
出願人引用 (5件)
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