特許
J-GLOBAL ID：201103091330063385
半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の実装方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094101
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345826
特許番号：特許第3575324号
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】外部接続のための突起電極を有する半導体装置において、前記突起電極には、みぞ部が形成されてなり、前記みぞ部の深さは前記突起電極の幅寸法の20分の1以上かつ4分の1以下の寸法に形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60
, H01L 23/12
, H05K 3/34
H01L 21/60 311 Q
, H01L 23/12 501 Z
, H05K 3/34 507 C
, H01L 21/92 602 G
