半導体装置および電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198143
公開番号（公開出願番号）：特開2001-076483
特許番号：特許第3365404号
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のメモリセルおよび複数のワード線を含むメモリセルアレイを備え、前記ワード線の電位変化により、前記メモリセルの選択および非選択の制御がなされる、半導体装置であって、前記メモリセルは、n型アクセストランジスタと、セルプレートを有するキャパシタと、を含み、前記キャパシタからのデータを増幅するセンスアンプを有し、前記セルプレートには、所定の電位が印加され、前記メモリセルの選択期間における前記セルプレート電位は、第1電位であり、前記メモリセルの非選択期間における前記セルプレート電位は、第1電位より大きい第2電位であり、前記ワード線の電位変化により、前記セルプレート電位の切り替え制御がなされ、前記セルプレートが第2電位から第1電位に変わるタイミングは、前記ワード線が前記メモリセルの選択を開始するタイミングより遅くされ、前記セルプレートが第2電位から第1電位にかわるタイミングまでに、前記センスアンプが前記キャパシタからのデータをラッチする、半導体装置。

IPC (1件)：

G11C 11/404

FI (1件)：

G11C 11/34 352 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

逆バイアスが加えられるパス・トランジスタを具備したメモリ・セル
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-194172 出願人：サン・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-141304 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-129088

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