特許
J-GLOBAL ID：200903039454776975

半導体記憶装置

発明者：
河野 隆司

河野 隆司 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-015731
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214482
出願日： 1997年01月29日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 データ保持時間を長くしてDRAMのリフレッシュの実力をアップする。【解決手段】 書込/読出時にはGND電位を、リフレッシュ時にはVcc/2をセルプレートに供給することによりメモリセルにおけるデータ保持時間を長くする場合、入力されたアドレス信号に基づいて、セルプレート電圧供給回路50nから、ロウ方向に分割されたセルプレートCPn(n=0,1,...)に選択的に、電圧を供給する。
請求項（抜粋）：
書込動作、読出動作、およびリフレッシュ動作を行なう半導体記憶装置であって、複数のワード線と、前記複数のワード線のうち少なくとも2本のワード線ごとに設けられた複数のセルプレートと、前記書込動作および読出動作時に前記複数のセルプレートのうち少なくとも1つに第1の電圧を供給し、リフレッシュ動作時に前記複数のセルプレートのうち少なくとも1つに前記第1の電圧よりも低い第2の電圧を供給する電圧供給手段とを備える、半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 11/404 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3件)：
G11C 11/34 352 D ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 681 C
引用特許：
審査官引用 (7件)
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