特許

J-GLOBAL ID：201103092437477081

半導体装置の製造方法

発明者： 井上 薫 ,  西井 勝則 ,  池田 義人 ,  正戸 宏幸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084336
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274140
特許番号：特許第3630068号
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】アンモニアガスをプラズマエッチング装置に導入し、このプラズマエッチング装置を前記アンモニアガスで満たしてアンモニアプラズマを生じせしめることにより、前記プラズマエッチング装置内の(InxAl1-x)yGa1-yN層(0≦x≦1、0≦y<1)の表面を清浄化する工程と、前記表面を清浄化する工程の後、塩素系ガスを導入することによって前記(InxAl1-x)yGa1-yN層をエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872 ,  H01S 5/323

FI (7件)：

H01L 21/302 102 ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 H ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/48 P ,  H01L 29/80 F

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-268466   出願人：松下電子工業株式会社
• 3族窒化物半導体のドライエッチング方法及び電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-203130   出願人：豊田合成株式会社

審査官引用 (2件)

• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-268466   出願人：松下電子工業株式会社
• 3族窒化物半導体のドライエッチング方法及び電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-203130   出願人：豊田合成株式会社