磁気センサ及び同磁気センサの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人プロスペック特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-166180
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345498
特許番号：特許第3596600号
出願日： 2000年06月02日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】直流電圧源と、磁化の向きが所定の向きに固定された硬質磁性の固定磁化層と磁化の向きが外部磁界に応じて変化する軟質磁性の自由磁化層と前記固定磁化層及び前記自由磁化層の間に挟まれた絶縁層とを含んでなる磁気トンネル効果素子と、を備えた磁気センサにおいて、前記磁気トンネル効果素子であって磁気遮蔽されたものの一端と前記磁気トンネル効果素子であって磁気遮蔽されていないものの一端とを接続してなる回路要素を一対備え、前記一対の回路要素の前記各磁気遮蔽されていない磁気トンネル効果素子の固定磁化層の磁化の向きが略同一となるように同一対の回路要素を配設するとともに、前記一対の回路要素のうちの一の回路要素の前記磁気遮蔽されていない磁気トンネル効果素子の他端と前記磁気遮蔽された磁気トンネル効果素子の他端とを前記直流電圧源の正極と負極とにそれぞれ接続し、前記一対の回路要素のうちの他の回路要素の前記磁気遮蔽されていない磁気トンネル効果素子の他端と前記磁気遮蔽された磁気トンネル効果素子の他端とを前記直流電圧源の負極と正極とにそれぞれ接続し、前記一対の回路要素の前記磁気遮蔽された磁気トンネル効果素子と前記磁気遮蔽されていない磁気トンネル効果素子との各接続個所間の電位差を出力するように構成したことを特徴とする磁気センサ。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39

FI (4件)：

H01L 43/08 Z , H01L 43/08 A , G11B 5/39 , G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-205393 出願人：三菱マテリアル株式会社
巨大磁気抵抗効果素子を備えたポテンショメータ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-204067 出願人：アルプス電気株式会社
巨大磁気抵抗効果素子を備えたエンコーダ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-204068 出願人：アルプス電気株式会社

全件表示

前のページに戻る