特許

J-GLOBAL ID：201103092799908668

半導体記憶装置

発明者： 三木 浩史 ,  中井 浩巳 ,  櫛田 惠子 ,  嶋本 泰洋 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  藤崎 芳久
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-530742
特許番号：特許第3940176号
出願日： 1998年01月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の電極と、前記第1の電極と接して設けられた高強誘電体膜と、前記高強誘電体膜に接して設けられた第2の電極とから構成される蓄積容量部と、 前記蓄積容量部上に設けられた水素拡散バリア層と、 前記水素拡散バリア層上に設けられた水素吸着阻止層と、前記水素拡散バリア層と前記水素吸着阻止層との間の反応バリア層とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/10 311 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 421

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-116221   出願人：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
• 強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-254378   出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション