特許
J-GLOBAL ID：201103092809739614
ファストリカバリーダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 砂川 克
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-250658
公開番号（公開出願番号）：特開2011-101021
出願日： 2010年11月09日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：
【課題】ファストリカバリーダイオードを提供する。【解決手段】ドーピングプロファイルを有するアノード層5は、少なくとも2つのサブレイヤ51、52を具備する。最初のサブレイヤ51は、2*1016cm-3および2*1017cm-3の間に、他のどのサブレイヤ52より高いドーピング濃度を有する。最後のサブレイヤ52は、最後のサブレイヤ深さ520を有し、90から120μmの間にある。アノード層のドーピングプロファイルは、5*1014cm-3および1*1015cm-3の範囲内のドーピング濃度が、少なくとも20μmと最大50μmとの間に達するように、傾斜濃度を有する。ドーピング濃度のそのようなプロファイルは、少なくとも2つのサブレイヤ51、52として、アルミニウム拡散層を使用することにより達成される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
ファストリカバリーダイオード(1)は、
カソード側(21)および前記カソード側(21)と反対のアノード側(22)を備えたnドープドベース層(2)と、
前記アノード側(22)のpドープドアノード層(5)と、
を具備する、
前記アノード層(5)は、ドーピングプロファイルを有し、前記アノード側(22)と平行に配置された少なくとも2つのサブレイヤ(51、52、53)を具備する、
前記少なくとも2つのサブレイヤ(51、52、53)は、最初のサブレイヤ(51)と最後のサブレイヤ(52)とを具備する、
前記最初のサブレイヤ(51)は、2*1016cm-3および2*1017cm-3の間に最初の最大のドーピング濃度(515)を有する、前記最初の最大のドーピング濃度は、前記少なくとも2つのサブレイヤ(51、52、53)の他のどのサブレイヤ(52、53)の最大のドーピング濃度より高い、
前記最後のサブレイヤ(52)は、最後のサブレイヤ深さ(520)を備える、前記最後のサブレイヤ深さ(520)は、他のどのサブレイヤ深さ(54、55)より大きい、前記最後のサブレイヤ深さ(520)は、90から120μmの間にある、
前記アノード層(5)のドーピングプロファイルは、5*1014cm-3および1*1015cm-3の範囲内のドーピング濃度が、少なくとも20μmの第1の深さ(54)と最大50μmの第2の深さ(55)との間に達するように、傾く、
前記少なくとも2つのサブレイヤ(51、52、53)は、アルミニウム拡散層である。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L29/91 D
, H01L29/91 J
