特許
J-GLOBAL ID：200903074359050908

定電圧ダイオードおよびその製造方法

発明者：
西村 兼一

西村 兼一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 小笠原 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-129799
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156936
出願日： 2005年04月27日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】 半導体基板の表面に形成された絶縁膜や保護膜が有するイオンの影響を受けることなく、安定した動作が得られる高耐圧な定電圧ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 リーチスルー型の定電圧ダイオードであって、第1導電型のN型半導体基板1、第1導電型のエピタキシャル層2、エピタキシャル層2の内部に形成された第2導電型の第1半導体領域3、第1半導体領域3を囲むとともにこの第1半導体領域3と離間した位置に形成された第2導電型の第2半導体領域5、エピタキシャル層2の主面に形成されたアノード電極8、およびN型半導体基板1の主面と反対側の面に形成されたカソード電極9を備える。第2半導体領域5の底部は、第1半導体領域3の底部よりもエピタキシャル層2の主面から浅い位置にある。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
リーチスルー型の定電圧ダイオードであって、 第1導電型の半導体基板と、 前記半導体基板の主面に形成され、当該半導体基板よりも不純物濃度が低い第1導電型のエピタキシャル層と、 前記エピタキシャル層の内部に形成された第2導電型の第1半導体領域と、 前記第1半導体領域を囲むように前記エピタキシャル層の内部に形成された第2導電型の第2半導体領域と、 前記エピタキシャル層の主面に形成された絶縁膜と、 前記エピタキシャル層の主面に形成された第1電極と、 前記半導体基板の主面と反対側の面に形成された第2電極とを備え、 前記第1半導体領域と前記第2半導体領域とは互いに離間した位置にあり、 前記第2半導体領域の底部は、前記第1半導体領域の底部よりも前記エピタキシャル層の主面から浅い位置にあることを特徴とする、定電圧ダイオード。
IPC (1件)：
H01L 29/861
FI (1件)：
H01L29/91 D
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
  • ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-327464   出願人：サンケン電気株式会社
  • 特開昭56-060055
  • 特開昭61-251083
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM