特許
J-GLOBAL ID:201103093179472300

水晶体のエッチング加工法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 戸島 省四郎
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-087893
公開番号(公開出願番号):特開2000-286236
特許番号:特許第3492933号
出願日: 1999年03月30日
公開日(公表日): 2000年10月13日
請求項(抜粋):
【請求項1】 非加工面にマスクを被覆した水晶体を負電極に取付け、同水晶体を取付けた負電極を希薄エッチングガス中に配置するとともに正電極を負電極を挾むように外周に配置し、前記正負電極に直流電圧を印加して電場を与え、同電場の方向に直交するように磁場を与えて水晶体のまわりを回転する電子流を形成し、同電子流の電子でエッチングガスを電離させて高密度均一プラズマを生成させてプラズマで水晶体表面をエッチングすることを特徴とする水晶体のエッチング方法。
IPC (1件):
H01L 21/302
FI (1件):
H01L 21/302
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭63-102321
  • 特開昭54-108996
  • スパッタリング装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-353070   出願人:株式会社日立製作所

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